Os chips de silício, base da eletrônica moderna, enfrentam limitações físicas à medida que os transistores diminuem de tamanho, afetando desempenho e consumo energético.
Pesquisadores da Universidade de Pequim criaram um transistor baseado em bismuto, um material 2D, oferecendo maior mobilidade dos elétrons e menor consumo de energia.
O novo transistor é 40% mais rápido e consome 10% menos energia em comparação com chips de silício de 3 nanômetros, como os da Intel e TSMC.
Esta inovação pode transformar a indústria de semicondutores, possibilitando o desenvolvimento de chips mais rápidos e eficientes para diversas aplicações tecnológicas.
A descoberta posiciona a China como líder em inovação tecnológica no setor de semicondutores, desafiando as atuais potências do setor
O transistor de bismuto representa um marco na evolução dos materiais semicondutores, abrindo caminho para a próxima geração de tecnologia eletrônica.